D-T反應中子源準直屏蔽體及中子束特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文首先在考慮T(d,n)4He(D-T)反應快中子源能譜、角分布、面源結構及靶系統(tǒng)對中子的作用的基礎上,利用MCNP程序模擬了(D-T)反應快中子在屏蔽材料中子的輸運。通過屏蔽體外泄漏中子及γ射線的注量率、能譜及在水中的吸收劑量的分析,給出了滿足T(d,n)4He反應中子源快中子治療屏蔽體的三種復合屏蔽方案;根據(jù)復合屏蔽方案,對原快中子治療機機頭屏蔽體進行了結構優(yōu)化設計和屏蔽性能測量; 隨后對經準直后的快中子束流各項性能進行了

2、模擬計算和分析:具體包括射野范圍內出射束流注量及能譜、等效水箱中中子/光子深度吸收劑量分布、等效水箱中中子/光子不同深度吸收劑量橫向分布、中子吸收劑量半影寬及離軸比、輻射場均整度等。 通過對優(yōu)化后屏蔽結構體的各項性能模擬計算可以看出,利用D-T反應快中子進行治癌是可以實現(xiàn)的。在對束流各項性能的測量分析可以看出,快中子在15cm深度范圍內吸收劑量分布、吸收劑量率、射束外劑量控制等可以滿足醫(yī)學臨床應用的需要;更大深度上束流各項性能將

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