硒對砷致大鼠學習記憶損傷的干預作用研究.pdf

1、目的：通過對比高、中、低不同劑量砷染毒大鼠的學習記憶損傷情況，以及加硒之后各組的損傷的改善情況，研究硒對砷暴露致大鼠學習記憶損害的干預作用。
　　方法：SD雄性大鼠80只，按體質量隨機分為8組，分別為低劑量砷組（0.5 mg·kg-1·w-1）、中劑量砷組（1.0 mg·kg-1·w-1）、高劑量砷組（1.5 mg·kg-1·w-1）、單純硒組（1.5 mg·kg-1·w-1）、硒+（0.5 mg·kg-1·w-1）砷組、硒+（1

2、.0 mg·kg-1·w-1）砷組、硒+（1.5 mg·kg-1·w-1）砷組、對照組。大鼠自由飲水，持續(xù)染毒120 d。石墨爐原子吸收儀檢測大鼠腦組織和血液中總Se和總As含量；取固定好的大腦皮質，電鏡下觀察神經細胞超微結構的改變；用化學測試盒檢測大鼠腦組織中谷胱甘肽（GSH）和丙二醛（MDA）的含量、谷胱甘肽過氧化物酶活性（GSH-PX）、過氧化氫酶活性（CAT）、活性氧（ROS）及超氧化物歧化酶（SOD）的活性；Quantitat

3、ive Real-time PCR檢測各組大鼠腦組織COX-2和Nrf2mRNA表達的水平；Western blot檢測各組大鼠腦組織COX-2和Nrf2蛋白表達的水平；Morris水迷宮實驗檢測大鼠染砷及硒干預后學習記憶的損傷情況。
　　結果：染砷劑量越高，砷在大鼠腦組織中的蓄積越多，加入硒之后各染砷組大鼠腦組織中的砷含量明顯降低，差異有統(tǒng)計學意義（F=182.67，P<0.05）。大鼠大腦皮質層電鏡切片結果顯示，對照組大腦皮質

4、神經元形態(tài)完整，核膜清晰完整，細胞核呈圓形、橢圓形，核仁居中，細胞質分布均勻，胞漿內質網、線粒體等形態(tài)正常；中劑量砷組可見大腦皮質神經元形態(tài)較完整，形狀不規(guī)則，細胞核位置邊際，內質網輕微擴張，線粒體輕度腫脹；高劑量砷組視野可見神經膠質細胞明顯水腫，胞質內少見細胞成分，細胞基質密度降低，可見內質網輕微擴張，神經纖維斷裂且排列紊亂。與對照組比較，高劑量砷組大鼠腦組織中GSH含量明顯減少、MDA含量升高，SOD、CAT及GSH-PX活性均降低

5、，ROS活性水平增大，加硒后高劑量砷組GSH的含量明顯增大，SOD、CAT及GSH-PX活性均升高，ROS活性降低，MDA含量較之減少，差異有統(tǒng)計學意義（F=2405.630， F=8.357，F=43.234，F=11.233，H=56.694，F=2.787，P均<0.05）。與對照組比較，低劑量砷組、中劑量砷組、高劑量砷組COX-2mRNA表達的水平均升高，但差異無統(tǒng)計學意義（F=0.570，P>0.05）、Nrf2mRNA表達的

6、水平均降低，差異有統(tǒng)計學意義（F=4.006，P<0.05）；與低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組比較，低劑量砷+硒組、中劑量砷+硒組以及高劑量砷+硒組的COX-2mRNA的表達水平均降低、Nrf2mRNA的表達水平均升高，但差異無統(tǒng)計學意義（P>0.05）。與對照組比較，低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組的COX-2蛋白表達水平均升高、Nrf2蛋白表達水平均降低，差異有統(tǒng)計學意義（F=9.499，F=5.131，P均<0.05）；與低

7、劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組比較，低劑量砷+硒組、中劑量砷+硒組以及高劑量砷+硒組的COX-2蛋白表達水平均降低，差異有統(tǒng)計學意義（P<0.05）；與高劑量砷組比較，高劑量砷+硒干預組的Nrf2蛋白表達水平顯著升高，差異有統(tǒng)計學意義（P<0.05）。Morris水迷宮實驗結果顯示，隨著訓練天數增加，與對照組比較，低劑量砷組、中劑量砷組及高劑量砷組的逃避潛伏期同時或不同時延長（F=58.84， P<0.05）；與高劑量砷組比較，高劑量

8、砷+硒干預組的逃避潛伏期縮短，差異有統(tǒng)計學意義（P<0.05）；與高劑量砷組比較，高劑量砷+硒組的逃逸平臺進入次數、逃逸平臺滯留時間以及逃逸平臺游泳距離均減小，差異有統(tǒng)計學意義（F=31.901， F=26.172，F=104.106，P均<0.05）。
　　結論：硒可以改善砷導致的學習記憶損傷，且干預砷在腦組織中的脂質過氧化作用。硒可能通過調控砷暴露大鼠腦組織中COX-2和Nrf2基因的表達激活COX-2/Nrf2信號通路，使其