數(shù)據(jù)塊熱度感知的相變存儲器讀緩存優(yōu)化策略研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、相變存儲器（PCM，Phase Change Memory）因非易失性、可擴展性與存儲密度高、訪問延遲與靜態(tài)功耗低、以及耐輻射等諸多優(yōu)點成為一種極具應(yīng)用前景的新型存儲介質(zhì)，受到了學(xué)術(shù)界與工業(yè)界的廣泛關(guān)注與研究。主流的研究方向之一是將PCM用作外部設(shè)備的讀緩存，用作外存的讀緩存時，存在PCM讀吞吐率受制于寫吞吐率問題，影響PCM緩存的讀性能。
　　針對讀性能問題，提出了一種數(shù)據(jù)塊熱度感知的方法以提高使用PCM作為存儲介質(zhì)的讀緩存的吞

2、吐率。通過記錄數(shù)據(jù)塊的歷史訪問信息，發(fā)現(xiàn)熱點數(shù)據(jù)塊（具有更高訪問概率的數(shù)據(jù)塊），并僅將這些熱點數(shù)據(jù)塊放置到 PCM讀緩存中，而將其它數(shù)據(jù)放置到其他存儲介質(zhì)中，避免PCM中緩存的頁面被頻繁替換，增大PCM的讀寫頻度比，從而達(dá)到在寫吞吐率受限的情況下提升PCM緩存的讀吞吐率的目標(biāo)。
　　運行大量采集于真實系統(tǒng)的工作負(fù)載以評估該策略的有效性與效率。仿真實驗結(jié)果表明，與傳統(tǒng)最近最少使用算法相比，使用數(shù)據(jù)塊熱度感知的優(yōu)化策略后，PCM讀緩存

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