具有側(cè)面冗余的銅互連線的電遷移效應研究.pdf

1、芯片的可靠性決定了芯片的使用壽命。隨著工藝節(jié)點的不斷進步，互連線寬度持續(xù)減小，通過互連線的電流密度持續(xù)增大，電遷移效應越來越嚴重。傳統(tǒng)的增加互連線寬度的電遷移修正方法會占用大量布線資源。而冗余結構能夠通過占用少量的布線資源來顯著提高電遷移抗性。傳統(tǒng)的末端冗余結構超過關鍵長度后，不能進一步提高電遷移抗性。而有實驗證明側(cè)面冗余結構相比末端冗余結構，能更有效地提高電遷移抗性。因此側(cè)面冗余結構對電遷移的影響需要進一步研究。
　　本文基于銅

2、互連線的陰極過孔結構，研究并對比了側(cè)面冗余和末端冗余對該結構電遷移效應的影響。為了定量評估，本文提出了一種電遷移數(shù)值分析方法。具體包括基于ANSYS的耦合場有限元分析方法，基于內(nèi)插法的數(shù)據(jù)點坐標映射方法，以及基于Matlab的溫度與應力的梯度與散度求解方法。最終通過原子通量散度(Atomic Flux Divergence，AFD)的分布來分析側(cè)面冗余對電遷移效應的影響。
　　通過對具有側(cè)面冗余的過孔結構的電遷移效應進行數(shù)值分析，