低損耗高功率半導體激光器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、分類號：密級：可公開UDC：編號：低損耗高功率半導體激光器研究THEINVESTIGATIONOFHIGHPOWERSEMICONDUCTLASERWITHLOWLOSS學位授予單位及代碼：長春理工大學（10186）學科專業(yè)名稱及代碼：物理電子學（077401）研究方向：半導體激光器物理與技術申請學位級別：碩士指導教師：曲軼教授研究生：吳麗娜論文起止時間：2013.09—2014.12摘要針對980nm波段半導體激光器的外延結構，分析了

2、影響高功率半導體激光器最大輸出功率和轉換效率進一步提高的主要原因，即內損耗機制，根據(jù)對內損耗機制的研究，找到了降低器件內損耗的方法，并運用Lastip軟件對980nm高功率半導體激光器的波導結構進行了優(yōu)化設計，通過優(yōu)化波導中的Al組分及在波導中加入低折射率光陷阱層，降低了器件的內損耗，提高了器件的輸出功率和轉換效率，并得到較高的光學災變損傷閾值。另外，研究了摻雜對980nm寬波導結構內損耗產生的影響，采用了三種摻雜方式對寬波導結構的上下

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