紫外生物芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及制作方法研究.pdf

1、本文介紹了紫外生物芯片的工作原理和結(jié)構(gòu)，從三個方面入手解決目前紫外生物芯片研制遇到的問題；分別是高性能I-PIN探測器的設(shè)計；紫外發(fā)光二極管外延層的設(shè)計、模擬和測試；PDMS微通道設(shè)計和制作工藝的研究。
　　為了得到較高的短波長響應(yīng)的SI-PIN探測器就要制作淺結(jié)和耗盡層寬度較小的芯片本文通過理論推導(dǎo)并使用APSYS軟件進(jìn)行模擬驗證。為了提高紫外LED的效率，本文的研究對象主要為在A1GaN量子阱能帶結(jié)構(gòu)中是能擾動發(fā)揮的作用。通過

2、A1GaN中不均勻的橫向生長和有序的部分 A1GaN，其中與無序的A1GaN相比有序的能帶間隙更小。有源區(qū)的電子經(jīng)過注入和空穴后能夠在特定的部位形成激子，由此一來，就能順利的避開在缺陷區(qū)電子和空穴發(fā)生的移動現(xiàn)象和非輻射復(fù)合現(xiàn)象。
　　本文還研究了使用再鑄模法進(jìn)行了微流通道基片的制作，使用光刻制作刻蝕法制作出硅陰模，通過過兩次模塑成型過程制作了 PDMS基片。測試了基質(zhì)與固化劑的比例基片為10比1蓋板為5比1。在汞燈的照射下經(jīng)過3.