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1、目前太陽(yáng)能電池行業(yè)多用管式PECVD法沉積氮化硅減反射鈍化膜,然而管式設(shè)備對(duì)于實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的均勻性有一定的局限,其原因在于反應(yīng)腔室內(nèi)部反應(yīng)氣體分布不均勻。這會(huì)對(duì)薄膜的表觀質(zhì)量造成很大的影響,形成色差片。不斷出現(xiàn)返工片,將會(huì)阻礙產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提高。
本論文通過(guò)大量的產(chǎn)線實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),通過(guò)總的氣體流量、反應(yīng)時(shí)腔室壓強(qiáng)以及射頻功率的調(diào)節(jié),會(huì)對(duì)成膜的均勻性有很大幫助。研究表明,對(duì)于管徑380mm,管長(zhǎng)2075mm的常用反應(yīng)腔室,氣體總流量
2、在5000sccm,反應(yīng)時(shí)腔室內(nèi)壓強(qiáng)在220pa,射頻功率4500w左右時(shí),僅就成膜的均勻性來(lái)講是最佳的,幾乎沒(méi)有返工片,而且也不會(huì)對(duì)薄膜的其它參量造成很大的影響。研究還發(fā)現(xiàn),除了以上三個(gè)工藝參量能較大的影響薄膜的表觀質(zhì)量外,石墨舟的間距大小,也會(huì)對(duì)薄膜均勻性造成影響,對(duì)比發(fā)現(xiàn)13mm間距石墨舟的成膜質(zhì)量要明顯優(yōu)于11mm間距石墨舟。
另外,鈍化工藝在晶體硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛。我們?cè)诔练e氮化硅薄膜之前采用氨氣電離出氫
3、等離子體,先對(duì)硅片進(jìn)行氫等離子體預(yù)處理,通過(guò)數(shù)值分析和實(shí)驗(yàn)的方法分別研究了預(yù)處理時(shí)間,功率,溫度,壓力各參數(shù)對(duì)鈍化效果以及電學(xué)性能的影響。在預(yù)處理溫度450℃,時(shí)間200s,射頻功率4000w,氣體壓強(qiáng)200Pa,氨氣流量為4000sccm時(shí),表現(xiàn)出短路電流提高較為明顯。然后采用等離子體增強(qiáng)型的化學(xué)氣象沉積(PECVD)法,在電池表面鍍上一層氮化硅膜,實(shí)驗(yàn)證實(shí)氫等離子體會(huì)透過(guò)氮化硅膜進(jìn)入到硅基體內(nèi),具體表現(xiàn)為少子壽命提高7μs左右。之后
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