硅—碳—氮—鎢系耐高溫一維納米材料的調(diào)控合成、表征及生長機理研究.pdf

1、制備耐高溫一維納米材料，探索其合成方法、調(diào)控機制，實現(xiàn)對納米結構的調(diào)控大量制備，對深入研究材料結構與性能的關系，和耐高溫一維納米材料在高溫結構材料增強增韌上具有重要的應用意義。
　　本論文在Si-C-N-W體系中，選取了幾種典型的耐高溫一維納米材料進行研究（氮化硅、碳化硅、碳納米管、鎢），探索了能夠大量制備上述一維納米材料的合成方法，圍繞一維納米結構材料的調(diào)控制備、形貌演化規(guī)律、微觀結構變化規(guī)律與生長機制進行了系統(tǒng)的研究，摸清其生

2、長特性與合成條件的依賴關系。第三章中，采用燃燒合成技術，研究了W為催化劑對氮化硅納米線形貌和結構的影響，提出了氣-固(Vapor-Solid,VS)生長機理，通過原位透射電鏡技術，測試了單根氮化硅納米線的彎曲模量，為氮化硅納米線的調(diào)控生長以及氮化硅納米線在高溫結構材料中的應用打下了良好基礎。第四章中，基于燃燒合成技術，在Si-C-N體系中，以硅粉和聚四氟乙烯為原料，在氮氣氣氛下，研究了PTFE加入量對碳化硅納米線形貌、結構、相組成的影響

3、，研究了W和Ti催化劑對碳化硅納米線品質(zhì)影響，在W催化Si-C-N體系中，首次發(fā)現(xiàn)并提出了碳化硅納米線新的生長機理“Si-C-N體系中Si3N4納米線中間體模板誘導SiC納米線生長的生長機理”，在Ti催化的Si-C-N體系中，發(fā)現(xiàn)并證實了碳化硅納米線的氣-液-固(Vapor-Liquid-Solid，VL)生長機理，最后大量制備了碳化硅納米線。利用原位通過原位透射電鏡技術，測試了單根碳化硅納米線的彎曲模量。實驗結果為碳化硅納米線在高溫結