過渡族金屬半導體化合物在新型高效太陽能電池中的應用.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩88頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、本論文主要研究了過渡金屬半導體化合物在新型有機-硅及相關太陽能電池的制備與性能表征。具體分為兩個部分,一是基于硅與共軛導電聚合物聚3,4二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的高效有機-無機雜化太陽能電池的制備及性能研究;二是基于體異質結結構的(3-己基噻吩(P3HT):富勒烯的衍生物(PC61BM)和聚苯并二噻吩(PTB7):富勒烯的衍生物(PC71BM)的有機太陽能電池的制備及性能研究。主要工作包括以下幾個方面:
 

2、 1.以平面硅為基底,通過溶液旋涂法制備有機導電薄膜 PEDOT:PSS,形成Si/PEDOT:PSS肖特基結的有機-無機雜化太陽能電池。將通過水熱法合成的層狀材料硫化鈷摻入PEDOT:PSS中。在PEDOT:PSS薄膜中分散均勻的硫化鈷可以有效地提高薄膜的導電率和功函數。從而有效減少在有機導電薄膜和硅之間的電子空穴復合,提高空穴的傳輸效率。通過加入層狀硫化鈷,可以將光電轉換效率從9.46%提高到11.22%。
  2.通過金屬離

3、子輔助溶液刻蝕技術制備雙面硅納米線陣列,并使用四甲基氫氧化銨修飾硅納米線陣列。將得到的具有硅納米陣列的硅片制成 Si/PEDOT:PSS結構的有機-無機雜化太陽能電池,并在硅片與背電極間引入由納米氧化鋅顆粒制成的空穴阻擋層。通過這種方法使得有機-無機雜化太陽能電池的效率提高到12.52%。效率的提升歸功于硅納米結構對光吸收的增加,背電極接觸的改善以及空穴阻擋層對背面電荷復合的抑制。
  3.分別制備以P3HT:PCBM和PTB7:

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論