銀基復合半導體光催化材料的合成及其光催化性能研究.pdf

1、銀基光催化材料不僅具有納米材料所特有的性質，還具有優(yōu)良的抗菌性、很高的光響應性和很好的光催化反應活性。但是銀基光催化材料很不穩(wěn)定，這一缺陷大大限制了銀基光催化材料的發(fā)展和應用。因此，選擇具有合適禁帶寬度的半導體光催化材料，制備復合型的銀基光催化劑，以提高其穩(wěn)定性和對可見光的響應能力，從而增強對污染物的降解效率或者制氫的效率，已成為當今光催化領域的研究熱點。本論文分別合成了三種具有較高可見光響應性和穩(wěn)定性的銀基復合光催化材料，采用多種分析

2、測試方法對其進行了表征，進一步對銀基復合光催化材料的光催化性能、穩(wěn)定性和光催化機理進行了研究。具體取得的研究結果如下:
　　1.通過低溫水熱合成了WO3納米片，再通過簡單沉淀法，合成出不同比例的AgI/WO3復合型光催化材料，采用XRD、TEM、UV-Vis DRS、PL等方法對其進行了表征，結果表明AgI納米顆粒成功修飾到WO3納米片的表面。光催化活性實驗顯示，AgI/WO3復合半導體光催化材料對RhB溶液有很好的光催化活性，并

3、且具有較高的穩(wěn)定性。通過對AgI/WO3復合光催化劑的光催化機理的探討發(fā)現，AgI/WO3復合半導體光催化材料在光降解染料分子的過程中，主要活性物質是由可見光激發(fā)產生的空穴。
　　2.通過硝酸銀溶液中的銀離子與BiOI之間的原位離子交換，將AgI納米顆粒均勻的修飾到BiOI納米片的表面，合成出了不同比例的AgI/BiOI復合型光催化材料。通過XRD、SEM、TEM、PL、UV-Vis DRS等方法表征對其結構組成進行了表征，結果表

4、明AgI納米顆粒均勻分布在BiOI上。光催化活性實驗表明，AgI/BiOI復合半導體材料對RhB溶液和苯酚溶液具有很好的光催化活性，并且具有較好的光催化穩(wěn)定性。通過分析合成過程、產物的組成和形貌，分析了該離子交換和原位還原反應的形成機理。
　　3.以尿素為原料合成出層狀g-C3N4，通過簡單沉淀法，將Ag2S納米顆粒均勻的復合到層狀g-C3N4上，合成出新型的Ag2S/g-C3N4復合光催化材料。通過XRD、XPS、TEM，FT-