鉍氮共摻SnO2半導體材料光電性能的研究.pdf

1、二氧化錫(SnO2)材料作為一種典型的的寬禁帶半導體材料，是一種重要的無機功能材料，具有金紅石結構。SnO2是一種新型透明導電氧化物，它具有寬帶隙(3.6eV)和高激子束縛能(130meV)使得二氧化錫基半導體材料具有發(fā)展?jié)摿?。摻雜SnO2所形成的材料具有高導電性、高透光率、高紅外反射率、高紫外吸收率等性能，從而使SnO2有更廣泛的應用前景。本論文將以SnO2為基材料，采用基于密度泛函理論第一性原理的全電勢線性綴加平面波法，在廣義梯度近

2、似(GGA)下應用WIEN2k軟件進行計算。
　　首先，我們構建2×2×2的SnO2超晶胞結構，對其進行Bi摻雜和Bi、N共摻的研究。計算了摻雜Bi和Bi、N共摻之后的電子態(tài)密度、能帶結構和光學性質，并與本征的SnO2相比較，研究發(fā)現(xiàn)Bi的引入使得費米能級附近出現(xiàn)了雜質能級，材料表現(xiàn)出金屬性。而Bi、N共摻時，摻雜體系的SnO2仍然是半導體。無論哪種摻雜，費米能級附近都出現(xiàn)了雜質能級，說明摻雜以后的SnO2內部的電子躍遷更加活躍，

3、導電性增強。單摻雜Bi和Bi、N共摻的SnO2的介電函數(shù)、吸收系數(shù)、折射率和反射率等光學性質相比本征態(tài)都有整體提升。
　　其次我們分別計算了共摻體系下一個非金屬元素N原子與不同濃度的金屬摻雜元素Bi原子摻雜和一個金屬元素Bi原子與不同濃度的非金屬摻雜元素N原子摻雜時，濃度的變化對其電子結構和光電性質的影響。結果表明，當N原子摻雜濃度變化時，隨著N摻雜濃度的升高，在費米面附近的的雜化程度增強，費米面出現(xiàn)雜質能級表示著價帶區(qū)域到導帶區(qū)

4、域的電子躍遷更加活躍。當Bi原子摻雜濃度變化時，與多N摻雜體系對比，摻雜多Bi的體系基本沒有表現(xiàn)出磁性，說明引起磁性的元素主要是N元素，而Bi的摻雜則會引起價帶到導帶的電子躍遷，增強SnO2的金屬性和導電性。在光學性質方面，摻雜多Bi體系的SnO2的光學性質整體都有所提高，無論是介電函數(shù)虛部、吸收系數(shù)、能量損耗還是折射率和反射率，在紫外區(qū)域的整體值都高于本征態(tài)。尤其是在可見光區(qū)域和紅外光區(qū)域相對本征態(tài)的SnO2出現(xiàn)了特別明顯的峰值。

5、r>　　最后我們計算了對二氧化錫摻雜體系來引進O缺陷和Sn缺陷對其電子結構和光學性質的影響。通過分析O空位和Sn空位SnO2的電子態(tài)密度，我們得到O空位的引入并沒有影響其半導體的性質，而Sn空位引入之后體系變?yōu)榘虢饘佟Ｄ軒ЫY構的計算表明O空位SnO2仍為直接帶隙，Sn空位的引入使得費米能級處出現(xiàn)雜志能級，促進了電子的躍遷。O空位和Sn空位均使得材料的光學吸收邊發(fā)生紅移，但Sn空位使得材料在可見光和紅外光區(qū)域產生吸收，拓寬了材料的吸收波長