

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、環(huán)境的急劇惡化與世界人口的持續(xù)增長,導致對能源的需求加大。太陽能清潔無污染,蘊藏的能量巨大,具有非常好的發(fā)展前景。近十年來,光伏產業(yè)迅猛發(fā)展,導致廉價太陽能級多晶硅的短缺。為了滿足光伏產業(yè)發(fā)展的需要,一種低成本,低能耗,低污染生產太陽能級硅的方法-冶金法,應運而生。
冶金法制備太陽能級多晶硅是針對冶金硅中雜質的不同性質,使用不同工藝逐步去除雜質的方法。金屬雜質和非金屬雜質P分別可以通過定向凝固和電子束熔煉去除,但是依然沒有找到
2、一種高效低能去除B雜質的方法。合金精煉由于其較低的熔煉溫度和較高的提純效率,為廉價去除冶金硅中的B雜質提供了一種可能性。
為了克服Si-Al二元合金的缺點,本論文在Si-Al二元合金的基礎上,加入金屬Zn,對Si-Al-Zn三元合金精煉去除B雜質進行了研究。通過改變Zn的原子百分比,冷卻速率等方式改變初晶硅的形貌,從形貌上對B雜質的去除效果進行分析;還研究了精煉過程淬火溫度和凝固后期的降溫速率對B雜質去除率的影響。得到如下結論
3、:
(1)金屬Zn的添加可以改變Si-Al合金中初晶硅的宏觀與微觀形貌,從而對B雜質去除效果產生影響。宏觀上,在Si-Al合金中初晶硅主要以細針狀的形式存在,加入不同原子量的Zn后,初晶硅形狀變得不規(guī)則,長度變短,寬度變寬。微觀上,初晶硅中包裹的二元與三元共晶的量,隨著金屬Zn添加量的加大,逐漸增多。因此導致B雜質的精煉比逐漸增加,在添加30at%Zn時,分凝比達到0.41;同時B雜質的去除效果顯著降低。
(2)初晶
4、硅的理論回收率和實際回收率都隨著Zn含量的增加而增大,但是實際回收率要比理論回收率低6-10%。
(3)900-600℃溫度范圍內,隨著冷卻速率的減小,B雜質含量逐漸降低,B雜質去除率逐漸增大。在冷卻速率為3℃/min時,B雜質含量降低到了1.3ppmw,去除率達到91.2%。600-20℃溫度范圍內,冷卻速率越大,B雜質含量越少,去除率越高。淬火的B雜質去除效果最好,B含量降至1.4ppmw,去除率達到90.5%。
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 冶金法去除多晶硅中B雜質的研究.pdf
- 多晶硅定向凝固過程中金屬雜質的分凝及去除研究.pdf
- 多晶硅產品
- 合金法提純多晶硅的研究.pdf
- 鑄造多晶硅中原生雜質及缺陷的研究.pdf
- 鋁誘導對多晶硅生長的影響.pdf
- 多晶硅生產過程金屬雜質影響因素研究.pdf
- 基于納米硅鋁誘導的多晶硅薄膜制備與性能研究.pdf
- 鋁誘導法制備多晶硅薄膜研究.pdf
- 感應熔煉提純多晶硅過程中雜質分凝的研究.pdf
- 多晶硅樣品中硼、磷及金屬雜質測定與機理探討.pdf
- 快速熱處理對多晶硅中雜質和缺陷行為的影響.pdf
- 多晶硅產業(yè)近況10
- 太陽能多晶硅
- 多晶硅刻蝕特性的研究.pdf
- 多晶硅薄膜制備工藝研究.pdf
- 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
- 多晶硅定向凝固提純中Fe雜質分布與傳輸機制的研究.pdf
- 多晶硅生產文獻名稱
- 鑄造多晶硅生長過程中雜質的傳輸及數值模擬.pdf
評論
0/150
提交評論