混合添加稀土Ce和La的AM60B鎂合金耐腐蝕性與半導體性能研究.pdf

1、鎂合金許多優(yōu)良的性質使得它在近代發(fā)展迅速，且廣泛地應用于各項領域，但鎂化學性質非?；顫姟Ｔ诳諝庵猩傻腗gO薄膜疏松多孔，無法有效地阻滯進一步被氧化。鎂的標準電位相對于其它金屬結構材料最負，為-2.37V，在溶液中參與電化學腐蝕時導致鎂成為犧牲陽極而遭受腐蝕。耐腐蝕性差已經成為制約鎂合金發(fā)展的主要因素。
　　本文考察了在不同pH值和NaCl溶液中的電化學行為。結果顯示，pH為10.5、0.035％的NaCl溶液中鎂合金的腐蝕電流密

2、度最小，為4.436μA·cm-2。pH為3.5、3.5％NaCl溶液中的腐蝕電流密度最大，為84.34μA·cm-2。隨著pH值減小，NaCl濃度升高，AM60B-MM鎂合金腐蝕電位負移，陽極極化電流密度增大，容抗弧半徑減小。
　　采用高錳酸鹽、鉬酸鹽和植酸在AM60B-MM鎂合金表面進行化學轉化制膜。發(fā)現(xiàn)三種化學轉化成膜的AM60B-MM鎂合金降低了腐蝕電流密度，其中高錳酸鹽成膜后的腐蝕電流密度最低，為22.823μA·cm-

3、2。這說明成膜后容抗弧和低頻阻抗模值增大、相位角升高，形成了高電阻、低電容的屏蔽膜層，提高了鎂合金的電化學性能。
　　3.5％NaCl溶液中，三種化學轉化成膜AM60B-MM鎂合金的Mott-Schottky曲線測試結果，在-2.2～-0.9V電位區(qū)間內，M-S曲線的斜率增大，施主密度ND減小，平帶電位EFB負向移動，空間電荷層厚度增大，鎂合金的電化學性能得到提高。
　　3.5％NaCl溶液中的析氫實驗表明，成膜后AM60B