N型準(zhǔn)一維ZnS納米帶的可控合成以及肖特基器件的研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族的ZnS材料在室溫時(shí)的禁帶寬度為3.7eV，是一種在光電子器件應(yīng)用領(lǐng)域具有很大開發(fā)潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，對(duì)其納米結(jié)構(gòu)的研究尤為引人注目。目前對(duì)ZnS納米結(jié)構(gòu)的研究主要集中在合成、微結(jié)構(gòu)控制和表征以及光學(xué)特性方面，而對(duì)于其電輸運(yùn)和器件應(yīng)用方面的研究還很少。造成這種情況的主要原因在于，納米材料的高比表面積使得ZnS材料具有高表面態(tài)，這使得它的歐姆接觸的獲得非常困難。現(xiàn)有器件研究?jī)H限于場(chǎng)效應(yīng)晶體管等簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的器件，像肖特基勢(shì)壘二極管

2、等重要的器件原型還沒有涉及。
　　本文中我們采用化學(xué)氣相沉積法合成了Cl摻雜n型ZnS納米帶。ZnS薄膜研究顯示Cl元素為優(yōu)質(zhì)的n型摻雜元素，摻雜效率高，引入缺陷少?；趩胃鵝nS納米帶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)顯示合成的ZnS∶ C1納米帶n型電輸運(yùn)特點(diǎn)明顯，摻雜后的電子遷移率和濃度分別為64.9cm2V-2s-1和5.7×1017cm-3。ZnS納米帶的歐姆電極采用激光脈沖沉積方法結(jié)合銅掩膜板遮蔽的方法制備。而銅掩膜板是利用光刻工藝和

3、刻蝕技術(shù)制備，它的使用可以成功地將精確的電極形狀轉(zhuǎn)移到沉積基底上，同時(shí)可以避免光刻膠對(duì)納米材料表面的污染。在此基礎(chǔ)上，我們構(gòu)建了基于ZnS∶Cl納米帶與金(Au)異質(zhì)結(jié)的肖特基二極管。該二極管表現(xiàn)出良好的的整流特性（整流比大于103），肖特基勢(shì)壘高度約為0.64eV，理想因子在320K時(shí)為1.05。并且肖特基勢(shì)壘二極管在365nm紫外光照射下，在正偏壓時(shí)表現(xiàn)出負(fù)光響應(yīng)而在負(fù)偏壓下表現(xiàn)出正的光響應(yīng)，我們利用能帶理論對(duì)這種現(xiàn)象進(jìn)行了解釋。通