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文檔簡介
1、微波介質(zhì)陶瓷在微波通訊技術(shù)中有著重要的用途,現(xiàn)代通訊技術(shù)要求設(shè)備小型化、高頻化、集成化及低成本化,以低溫共燒陶瓷技術(shù)(Lowtemperatureco-firedceramic,LTCC)為基礎(chǔ)的多層結(jié)構(gòu)設(shè)計可以滿足以上要求,LTCC技術(shù)要求微波介質(zhì)陶瓷介電性能優(yōu)異(高品質(zhì)因數(shù)和近零的諧振頻率溫度系數(shù)),并可與熔點較低的Ag或Cu(熔點分別為961℃和1083℃)電極在低溫下共燒。
CaTiO3-Ca(Mg1/3Nb2/3
2、)O3是一種介電性能優(yōu)良的高頻介質(zhì)陶瓷材料,但其燒結(jié)溫度很高(1300℃),不利于高性能復(fù)合元器件的實現(xiàn)。本文從材料組成、制備工藝研究了其對陶瓷的燒結(jié)特性、物相組成、微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。
(1)CMNT系列陶瓷的微波介電性能的研究
通過前驅(qū)體法制備(1-x)CaTiO3-xCa(Mg1/3Nb2/3)O3(簡稱CMNT)陶瓷,研究結(jié)果表明:在選定的x值范圍內(nèi),相組成均為正交系的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),形成了完全
3、固溶體。在1300℃/5h燒結(jié),x=0.6的陶瓷的微波介電性能良好:εr=47.75,Q·f=29100GHz,τf=-25ppm/℃。
(2)A位離子置換改性CMNT陶瓷的微波介電性能的研究
研究不同半徑的離子(Sm3+、Nd3+和La3+)對CMNT(x=0.6)A位離子進(jìn)行置換改性,研究發(fā)現(xiàn),各改性陶瓷在置換改性范圍內(nèi)均形成了單一鈣鈦礦結(jié)構(gòu);A位的不等價置換改性,使得A位的陽離子空位隨置換量x的增加而增
4、多,這最終將導(dǎo)致原來的氧八面體產(chǎn)生畸變,隨著x值的增加,軸比逐漸減小,說明氧八面體畸變程度增加,但陶瓷結(jié)構(gòu)還是正交晶系。
各改性陶瓷均在1300℃燒結(jié)致密,體積密度隨摻雜量的增加而增大。摻雜量x=0.06,各改性陶瓷的介電性能較好,摻雜Sm3+、Nd3+和La3+的陶瓷的介電性能分別為:εr=47.53,Q·f=30108GHz,τf=-10.2ppm/℃;εr=43.12,Q·f=30127GHz,τf=-11.3ppm
5、/℃;εr=39.3,Q·f=30560GHz,τf=-16.25ppm/℃。摻雜Sm3+的CSMNT陶瓷性能較好,以該材料為基材,進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)的研究。
(3)低溫?zé)Y(jié)CSMNT陶瓷的微波介電性能的研究
通過添加低熔點的燒結(jié)助劑H3BO3-CuO(簡稱BC)、H3BO3-ZnO(簡稱BZ)、H3BO3-ZnO-BaCO3(簡稱BZB)來實現(xiàn)CSMNT(x=0.06)的低溫?zé)Y(jié),研究發(fā)現(xiàn):分別添加BC玻璃和BZ
6、玻璃的陶瓷,在各組分范圍內(nèi)均形成了正交晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu)主晶相,玻璃成分沒有進(jìn)入陶瓷晶格或形成新的晶相;添加BZB玻璃的陶瓷由兩種晶相組成:正交型CaTiO3相(主晶相)和一種新相。
添加適量的玻璃,可以有效的降低陶瓷的燒結(jié)溫度,促進(jìn)晶粒生長,但過量會在燒結(jié)過程中產(chǎn)生過多的液相,且液相擴(kuò)散嚴(yán)重,使晶粒大小不均勻,進(jìn)而影響陶瓷的介電性能。
添加BC、BZ和BZB玻璃可將CSMNT陶瓷的燒結(jié)溫度分別降至1050℃、9
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