SOI器件的輻照效應(yīng)與加固電路設(shè)計技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SOI器件和電路具有良好的抗單粒子效應(yīng)和瞬時輻照效應(yīng)的性能,被廣泛地應(yīng)用于各種抗輻射領(lǐng)域。但是埋氧層的存在使得SOI技術(shù)的輻照效應(yīng)更加復(fù)雜,如何提高其抗輻照性能成為研究重點。
　　本文通過實驗研究了0.8μm PD SOI PMOSFET經(jīng)過60Coγ射線輻照后的總劑量效應(yīng),分析了溝道長度對器件輻照效應(yīng)的影響。實驗研究結(jié)果表明:在輻照的總劑量相同時,短溝道SOI器件的閾值電壓負向漂移量比長溝道SOI器件大,最大跨導(dǎo)退化的更加明顯。

2、通過亞閾值分離技術(shù)分析得到,氧化物陷阱電荷是引起閾值電壓漂移的主要因素。與長溝道SOI器件相比,短溝道SOI器件輻照感生的界面陷阱電荷更多。輻照引起閾值電壓的負向漂移和遷移率的降低使短溝道器件的輸出電流減小的更多。
　　通過ISE-TCAD軟件模擬總劑量效應(yīng)對傳統(tǒng)反相器以及抗輻照反相器單元電路的影響。仿真結(jié)果表明,經(jīng)過加固設(shè)計的反相器在經(jīng)受1000krad(Si)的輻照后,輸出還能保持“高”電平。此外,利用ISE-TCAD和HSP

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