銻(Ⅲ)離子印跡聚合物的制備、表征及性能研究.pdf

1、分子印跡技術（Molecular Imprinted Technique，MIT）是以目標分子為模板，將具有結構上互補的功能化聚合物單體與模板分子結合，再經(jīng)過聚合、模板洗脫最后形成對目標分子具有專一識別性能的聚合物的技術。離子印跡技術(Ion Imprinted Technique，IIT)與分子印跡技術相似，只是模板由分子變成離子，而分子印跡的構效預知性、特異識別性和廣泛適用性等優(yōu)點仍然被保留。其應用已涉及到分離純化、化學與生物傳感器

2、、模擬酶催化劑以及痕量分析等各個領域。
　　本文依據(jù)硅膠表面修飾的分子印跡技術的基本思路，提出了一種基于硅膠表面修飾的離子印跡技術。采用硅膠微球表面接枝方法，先將功能配體（本課題所制備的兩種聚合物分別采用3-氰基丙基三乙氧基硅烷和3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷）耦合接枝到硅球表面，然后以銻(Ⅲ)離子為模板，在交聯(lián)劑環(huán)氧氯丙烷的作用下，制備了兩種復合型離子印跡材料。
　　通過改變本體濃度、吸附時間和溶液pH值，對銻(Ⅲ)離子印跡聚

3、合物的吸附能力進行研究。實驗結果表明吸附速率很快，20 min就可達到吸附平衡;在pH值為3～9的條件下，吸附效果均很好。
　　采用靜態(tài)法研究了所合成印跡聚合物對Sb3+的結合特性，結果表明，該銻(Ⅲ)印跡材料對銻(Ⅲ)離子具有較強的記憶識別能力，主要表現(xiàn)在兩方面:(1)對Sb3+的結合量很大，Sb-CPTS/SiO2和Sb-TCPTS/SiO2對Sb3+飽和吸附容量分別達到15.3 mg·g-1和14.3 mg·g-1;(2)對