晶圓級單軸應變SOI制備及有限元模擬研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩90頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、晶圓級單軸應變SOI(絕緣體上硅)技術,不僅具有速度高、功耗低、集成密度高、抗輻照等 SOI技術優(yōu)點,還具有載流子遷移率提升高,且在高垂直電場下不退化的單軸應變硅技術優(yōu)點,是一種很具創(chuàng)新和競爭力的新技術。
　　本論文基于材料力學、彈塑性力學理論和 SOI材料的特性,提出了一種通過機械彎曲和高溫退火制作晶圓級單軸應變SOI的新方法。該方法的優(yōu)點有成本低,工藝步驟簡單,僅需一片 SOI片,即能產(chǎn)生張應變,也能產(chǎn)生壓應變,適合于任何尺寸

2、的晶圓,且應變量大。
　　所提出新方法的工藝原理是:選取合適的退火溫度和彎曲半徑,使二氧化硅層發(fā)生不可恢復的塑性形變,而單晶硅發(fā)生可恢復的彈性形變。又因二氧化硅層和頂層硅層都很薄,二氧化硅層的拉伸或壓縮通過化學鍵作用到頂層硅上,使頂層硅也產(chǎn)生張應變或壓應變。
　　依此工藝原理,制作了彎曲半徑0.75m的4英寸單軸張應變和壓應變SOI實驗樣品。采用拉曼光譜技術和光纖光柵應變測試技術,對單軸應變SOI實驗樣品的應變進行了表征,單

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論