Ku波段GaAs pHEMT單片功率放大器設計與實現(xiàn).pdf

1、隨著各種高科技武器,尤其以相控陣雷達為代表的微波收/發(fā)組件(T/R)的大量廣泛應用,微波單片集成電路(MMIC)在軍事國防中已逐漸替代傳統(tǒng)的混合集成電路,成重要的支撐力量。在民用和商業(yè)領域,3G技術的廣泛應用的4G技術的發(fā)展也對無線通信終端和通信基站等微波系統(tǒng)中的收/發(fā)組件提出了更高的要求。微波單片集成電路是通過一系列的半導體工藝方法制造出的應用于微波(乃至毫米波)頻段的功能電路,使得微波通信系統(tǒng)可以低成本、大批量、小型化生產(chǎn)。微波單片

2、集成電路的設計和制造成為各國競爭十分激烈的先進技術。功率放大器作為各種通信系統(tǒng),尤其是微波收/發(fā)組件(T/R)中的核心部件,成為制約系統(tǒng)發(fā)展的瓶頸,對微波單片功率放大器的研究和設計有著重要的意義。
　　砷化鎵(GaAs)材料制作的微波功率晶體管,具有效率高、噪聲功率低、抗輻射能力強等優(yōu)點,可以在連續(xù)波和脈沖狀態(tài)下工作。其中砷化鎵贗晶高電子遷移率晶體管(GaAs pHEMT)采用具有多層外延的異質結結構,形成具有二維電子氣的高電子遷

3、移率器件,更適合高頻大功率應用,是GaAs場效應晶體管中的主流技術,己經(jīng)形成了一定的系列化商品,并且未來仍將對GaAs器件有相當大的需求。
　　本文介紹了微波功率放大器基本理論,MMIC材料的物理特性,pHEMT晶體管的物理結構及其工作原理,MMIC電路中的無源器件及其模型。在此基礎上,使用安捷倫公司的ADS微波電路仿真軟件,采用3級共源級放大器級聯(lián)的電路拓撲結構,設計了一款Ku波段2W GaAs單片功率放大器,并在中國電子科技集