CdZnTe核輻射探測(cè)器制備工藝的研究.pdf

1、CdZnTe(CZT)核輻射探測(cè)器具有較高的探測(cè)效率和較好的能量分辨率,廣泛應(yīng)用于x、γ射線探測(cè)和成像裝置,在國(guó)家安全防務(wù)、核探測(cè)、核控制、天體物理以及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景.探測(cè)器的性能關(guān)鍵取決于探測(cè)器的制備工藝,為此本論文針對(duì)CZT核輻射探測(cè)器制備的關(guān)鍵工藝進(jìn)行了研究,分析了CZT探測(cè)器的表面腐蝕、表面鈍化、電極接觸等一系列器件工藝條件,并對(duì)CZT共面柵探測(cè)器電極進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì).主要研究?jī)?nèi)容與結(jié)果如下:1、采用溴甲醇(BM)和

2、溴乳酸乙二醇溶液(LB)對(duì)CZT晶體進(jìn)行了表面腐蝕研究.AES俄歇電子能譜分析表明,腐蝕液中Br的加入會(huì)使得CZT樣品表面富Te,從熱力學(xué)角度對(duì)腐蝕機(jī)理進(jìn)行了探討.2、采用KOH-KCl溶液、H<,2>O<,2>溶液和NH<,4>F/H<,2>O<,2>混合溶液等三種濕法化學(xué)鈍化工藝對(duì)CZT器件表面鈍化進(jìn)行了研究.3、首次提出了采用RFCVD法在CZT器件表面沉積類金剛石(DLC)薄膜進(jìn)行物理鈍化的研究思想.4、對(duì)CZT探測(cè)器的電極接觸