銅摻雜硒化銀材料的制備和性能研究.pdf

1、各國(guó)的學(xué)者都運(yùn)用摻雜這種方法來(lái)研究材料新的結(jié)構(gòu)和性能。自摻雜的非化學(xué)計(jì)量比的硒化銀和碲化銀材料產(chǎn)生了非常大的奇特的線性磁電阻效應(yīng)( LMR),即電阻率隨著磁場(chǎng)的增加而發(fā)生線性變化。這種線性變化在較寬的溫度范圍(1K300K-)和超寬的磁場(chǎng)范圍(1mT～55T)都存在。這種奇異的線性磁電阻效應(yīng)因其潛在巨大應(yīng)用價(jià)值已引起了研究者的廣泛關(guān)注,本文通過(guò)銅摻雜探索對(duì)Ag Sed+的結(jié)構(gòu)和性能影響。
　　本文通過(guò)對(duì)五種實(shí)驗(yàn)方案的研究,探索利用

2、化學(xué)沉降法制備銅摻雜Ag Sed+的可行性以及它的工藝。實(shí)驗(yàn)中對(duì)五種方案所得產(chǎn)物進(jìn)行表征分析,結(jié)果表明只有第五種方案比較合適。分析表明:在利用化學(xué)沉降制備粉末樣品的過(guò)程中,原料的反應(yīng)時(shí)間和原料加入的順序是非常重要的工藝參數(shù),反應(yīng)時(shí)間為10h左右比較合適;原料加入的順序會(huì)影響所得產(chǎn)物,分階段加入原料時(shí)雜質(zhì)能夠摻雜進(jìn)去;在固相合成過(guò)程中,預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)的最高溫度和在最高溫度點(diǎn)下的保溫時(shí)間是重要的工藝參數(shù),實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)只有在300℃左右對(duì)粉末樣品進(jìn)

3、行預(yù)燒結(jié),并且燒結(jié)溫度在450℃-500℃的范圍內(nèi)都可以燒結(jié)出比較致密的硒化銀晶體。在燒結(jié)過(guò)程中通入氬氣或者氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣體。
　　本文通過(guò)改變化學(xué)反應(yīng)中硒、銅以及銀的相對(duì)含量,利用化學(xué)沉降法得到含不同銅摻雜量的過(guò)量銀的硒化銀納米顆粒,然后通過(guò)固相合成法制備出塊狀晶體。采用XRD、XRF和FSEM對(duì)制備的硒化銀進(jìn)行表征,結(jié)果表明,在固相燒結(jié)過(guò)程,當(dāng)降溫為自然降溫, XRD的圖譜和標(biāo)準(zhǔn)的硒化銀一致,而當(dāng)快速降到室溫的情況下,所有的特