硅微傳感器耐高溫技術(shù)研究.pdf

1、集成電路及微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)的高速發(fā)展,極大地促進(jìn)了硅微傳感器的應(yīng)用。本文對MEMS高溫壓力傳感器進(jìn)行了研究,根據(jù)SOI壓力傳感器的工作原理和結(jié)構(gòu)特性,設(shè)計了SOI高溫壓力傳感器芯片,通過有限元軟件進(jìn)行仿真模擬。模擬結(jié)果符合研究目標(biāo)要求,同時對本文設(shè)計的傳感器的結(jié)構(gòu)尺寸、制作工藝、封裝結(jié)構(gòu)和測試數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析討論。
　　SOI壓力傳感器采用硅壓阻效應(yīng)工作原理,SOI壓力芯片是采用硅微壓阻式原理所研制的,基片選擇采用由

2、SIMOX工藝制成的SOI結(jié)構(gòu)。利用半導(dǎo)體微機(jī)械加工制成硅應(yīng)變電阻構(gòu)成惠斯通電橋的力敏元件;在結(jié)構(gòu)設(shè)計中,采用芯片背面感壓形式,芯片正面與玻璃基座靜電封接,并在玻璃基座上利用微加工的方法制作外引線封裝孔和參考壓力腔結(jié)構(gòu),實現(xiàn)無引線封裝,增強(qiáng)壓力傳感器的耐高溫性能。通過溫度補(bǔ)償及電路調(diào)節(jié),傳感器輸出標(biāo)準(zhǔn)電壓信號。產(chǎn)品性能檢測及環(huán)境測試結(jié)果表明,該傳感器性能穩(wěn)定,耐外界惡劣環(huán)境的能力強(qiáng)、可靠性高。
　　實際產(chǎn)品測試結(jié)果表明,SOI高溫