多項(xiàng)目晶圓布圖規(guī)劃與切割算法研究.pdf

1、隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)步，尤其是集成電路特征尺寸進(jìn)入深亞微米階段后，集成電路的制造成本急劇增大。為了降低原型開發(fā)時期的成本，學(xué)術(shù)界與工業(yè)界在原型開發(fā)等階段廣泛的采用多項(xiàng)目晶圓（Mutli-projectWafer,MPW）技術(shù)。多項(xiàng)目晶圓技術(shù)能夠?qū)碜圆煌O(shè)計單位的集成電路設(shè)計放置于同一掩模中，并同時流片，而參與多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目的單位按照面積等共同分擔(dān)掩模制片、晶圓流片等的費(fèi)用，從而降低了成本，而所獲得的芯片數(shù)量足夠原型設(shè)計階段所用。

2、>　　針對隨機(jī)缺陷降低了多項(xiàng)目晶圓實(shí)際產(chǎn)出的問題，本論文提出了考慮缺陷率模型的多項(xiàng)目晶圓布圖規(guī)劃算法，通過在布圖規(guī)劃階段引入缺陷率模型的方式，增大了芯片生產(chǎn)的裕量，用以抵消隨機(jī)缺陷造成的損失。同時，本論文提出了有約束的模擬退火算法，將多項(xiàng)目晶圓布圖約束條件量化，使得布圖規(guī)劃過程能夠在高溫區(qū)遍歷解空間，跳出局部最優(yōu)解的陷阱，在低溫區(qū)尋找滿足約束條件的布圖規(guī)劃。
　　本論文同時對多項(xiàng)目晶圓的切割問題進(jìn)行了劃分，依據(jù)切割算法運(yùn)行的時間點(diǎn)