

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、有機半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能介于金屬和絕緣體之間。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比,有機半導(dǎo)體材料具有許多優(yōu)點,例如:柔性好,制各工藝簡單,成本低,可大規(guī)模生產(chǎn)利用。因為有機半導(dǎo)體具有如此多的優(yōu)點,所以近年來有機半導(dǎo)體材料成為研究熱點。
有機半導(dǎo)體是分子晶體,最小的組成單元是一個有機分子,為了得到性能更好的有機半導(dǎo)體材料,我們可以在特定的位置增加或減少基團來修飾有機分子。衡量有機半導(dǎo)體材料性能的重要參數(shù)是載流子遷移率。
本論文以密度泛
2、函理論和Marcus-Hush理論為基礎(chǔ),利用Gaussian和ADF軟件包,對有機半導(dǎo)體材料Benzothieno-Benzothiophene(BTBT)載流子遷移率與電荷輸運微觀物理參量——分子間電子耦合(電荷轉(zhuǎn)移積分)與分子內(nèi)振動耦合(電荷轉(zhuǎn)移重組能),以及有機半導(dǎo)體材料內(nèi)部分子堆棧結(jié)構(gòu)參數(shù)(r,θ,γ)之間的關(guān)系進行理論研究。并推導(dǎo)其載流子遷移率各向異性方程,此方程可以用來有效預(yù)測有機半導(dǎo)體材料載流子遷移率極值及其方向,同時可
3、實現(xiàn)基于BTBT設(shè)計高性能有機半導(dǎo)體材料。文中,我們以C8-BTBT,C10-BTBT和C12-BTBT為例討論了BTBT衍生物的載流子遷移率。計算結(jié)果表明這三種晶體的空穴遷移率(μ hole)遠遠大于它們的電子遷移率(μeletron),這說明它們是p-型有機半導(dǎo)體材料。當(dāng)碳鏈長度由8變到12時,載流子遷移率也是增大的。載流子遷移率的增大可以歸因于橫向二聚體T和平行二聚體P之間角度θ T1的增大。換句話說就是隨著碳鏈的增長晶體結(jié)構(gòu)堆積
4、的更加緊密。這種簡單的計算模型可以為以后設(shè)計性能更好的材料提供方法,例如通過修飾側(cè)邊碳鏈的長度來增加載流子遷移率。
本文還利用密度泛函理論并結(jié)合過渡態(tài)理論研究了一種新型二氧化碳吸附和轉(zhuǎn)化催化劑的催化機理。眾所周知,CO2是地球上儲量最豐富,最便宜的C1資源,它具有無毒,不燃燒,可再生等特點,但是,CO2也是主要的溫室氣體之一?;谶@些特點,CO2化學(xué)已經(jīng)吸引了全世界越來越多的關(guān)注,通過化學(xué)技術(shù)實現(xiàn)碳的捕獲和高效轉(zhuǎn)化是現(xiàn)如今研究
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機半導(dǎo)體遷移率公式的改進及應(yīng)用的研究.pdf
- 幾種有機半導(dǎo)體分子載流子遷移特性的研究.pdf
- 具有高載流子遷移率的二維半導(dǎo)體材料的設(shè)計與模擬.pdf
- 應(yīng)變Si載流子遷移率研究.pdf
- 高遷移率半導(dǎo)體材料的自旋注入.pdf
- 雜稠芳環(huán)n型有機半導(dǎo)體遷移率的理論研究.pdf
- 噻吩及氮雜芳環(huán)半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)及載流子遷移率的理論研究.pdf
- 應(yīng)用密度泛函理論研究半導(dǎo)體材料電子性質(zhì).pdf
- 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中的電子遷移率及其壓力效應(yīng).pdf
- 有機半導(dǎo)體中載流子的遷移過程及其磁場效應(yīng).pdf
- 高壓下纖鋅礦半導(dǎo)體的雜化密度泛函理論研究.pdf
- 基于VI的載流子遷移率測試系統(tǒng)的研制.pdf
- 有機半導(dǎo)體載流子注入與傳輸性能的研究.pdf
- 應(yīng)變Ge載流子遷移率散射機制及模型研究.pdf
- 應(yīng)變硅載流子遷移率增強機理及模型研究.pdf
- 摻雜型載流子傳輸材料的密度泛函理論研究.pdf
- 二維半導(dǎo)體材料遷移率的第一性原理研究.pdf
- 納米改性變壓器油中載流子遷移率的研究.pdf
- 單軸應(yīng)變硅能帶結(jié)構(gòu)及載流子遷移率研究.pdf
- 應(yīng)變硅MOSFET載流子遷移率增強機理研究與建模.pdf
評論
0/150
提交評論