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文檔簡介
1、SiC作為第三代半導體材料，其結構穩(wěn)定，有較高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率、抗輻射能力以及較寬的禁帶寬度，適合制作高溫、高頻、大功率及抗輻射器件，并因其優(yōu)秀的光電性能，成為光電集成領域的優(yōu)選材料。 本文采用射頻磁控反應濺射和高溫相分離技術作為制備方法，并結合傅里葉紅外吸收光譜（FTIR）以及光致發(fā)光光譜（PL）等測試手段，對薄膜的結構和發(fā)光特性進行了分析研究。首先，分別選用乙炔或甲烷作為濺射氣氛中的活性反應氣體，探討了制備富
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