不同摻鈥量Ho-LiNbO3晶體結構與性能.pdf

1、采用提拉法生長出無宏觀缺陷、光學質(zhì)量較好的不同摻鈥量的單晶體Ho:LiNbO3,研究總結出了最佳生長工藝參數(shù)。測試了晶體的紅外吸收光譜和紫外可見吸收光譜,分析了Ho3+摻雜濃度對OH-吸收峰位峰位的影響,從而解釋了Ho3+在LiNbO3中的占位規(guī)律,結果表明Ho3+占據(jù)反位鈮的位置。測試了晶體(300)面的X射線衍射,分析了Ho3+摻雜濃度對衍射峰半高寬的影響,從而得知晶體結晶質(zhì)量隨Ho3+摻雜濃度的升高而降低。用250nm光激發(fā),測試

2、了晶體的熒光光譜,用620nm光激發(fā)測試了晶體的上轉(zhuǎn)換發(fā)光光譜。分析了Ho3+摻雜濃度對發(fā)光峰位和強度的影響,解釋了上轉(zhuǎn)換機制,即為激發(fā)態(tài)再吸收過程。根據(jù)Ho3+能級圖對Ho3+的紫外可見吸收峰對應的躍遷光譜項進行了解釋,利用Judd-Ofelt理論計算出Ho3+在LiNbO3中的強度參數(shù)、自發(fā)輻射幾率、能級壽命、熒光分支比等光譜參數(shù),指出了易于實現(xiàn)激光發(fā)射的躍遷。分析了Ho3+摻雜濃度對光譜參數(shù)大小的影響,最終表明自發(fā)輻射幾率和能級壽