磁控濺射制備AL2O3薄膜及其光學性能和力學性能研究.pdf

1、Al2O3薄膜具有許多優(yōu)良特性,如寬禁帶、高介電常數(shù)、高硬度、耐磨性好等,集光、電、機械性能于一體,具有非常廣闊的應用前景,廣泛用于光學、微電子、機械、醫(yī)學、化工等諸多領域,而 Al2O3薄膜的這些優(yōu)良性能與其制備方法和工藝參數(shù)是密不可分的。
　　 本文采用磁控反應濺射法在單晶硅片(100)上制備 Al2O3薄膜,并在中國低活化馬氏體不銹鋼(CLAM)上制備了單層 Al2O3、SiC、W薄膜以及Al2O3／SiC、Al2O3／W

2、雙層膜。借助熒光光譜、紅外吸收光譜(IR)、電阻率、表面形貌、顯微硬度的測試,對所制備薄膜的光學性能、電學性能、力學性能進行了分析和總結。主要內容如下:
　　 第一章簡述了 Al2O3薄膜的結構、特性、應用、制備方法以及薄膜的各種檢測技術和表征手段。
　　 第二章介紹了磁控濺射法制備薄膜材料的原理、制備方法以及薄膜的沉積過程。
　　 第三章研究了在單晶硅片上制備 Al2O3薄膜,濺射工藝參數(shù)對 Al2O3薄膜沉積

3、速率的影響,主要包括濺射氣壓、氧氬比例、濺射功率與 Al2O3薄膜沉積速率的關系。
　　 第四章研究了 Al2O3薄膜的光致發(fā)光特性、電阻率、表面形貌以及紅外特性。重點研究了氧氬比例對 Al2O3薄膜熒光光譜的影響、濺射氣壓對 Al2O3薄膜電阻率和表面形貌的影響以及 Al2O3薄膜的紅外吸收特性。
　　 第五章研究了在中國低活化馬氏體鋼(CLAM)表面制備單層 Al2O3、SiC、W薄膜以及 Al2O3／SiC、Al2