等離子體顯示板放電單元的特性研究.pdf

1、本文基于帕邢定律，采用數值模擬的方法，研究了不同結構PDP放電單元靜態(tài)和動態(tài)著火電壓的情況。所編制的計算軟件考慮到各種結構的特點，具有一定的通用性。利用該軟件計算了表面放電結構PDP(ACCPDP)和蔭罩式PDP(SMPDP)中，沿不同放電路徑著火電壓的分布情況，并研究了放電單元中單元高度、介質層厚度和介電常數、熒光粉層厚度變化對于著火電壓的影響，模擬發(fā)現，SMPDP的著火電壓低于ACCPDP，且上述結構參數的變化對于SMPDP的影響均

2、接近或小于ACCPDP。本文還研究了尋址期ACCPDP中X電極偏壓和SMPDP中障壁電位對于放電的影響。模擬發(fā)現，尋址期在ACCPDP的X電極加一定的正偏壓和在SMPDP的障壁上加低負壓，都能達到較好的壁電荷積累。 本文在理論計算的基礎上，基于氣體放電相似性定律，設計和制作了ACCPDP和SMPDP以及對向放電結構的放大單元；建立了包括高速ICCD、濾色系統、數字時序控制電路、高壓驅動電路的PDP光發(fā)射測試系統，利用實驗方法，對

3、PDP的某些放電特性進行研究。 本文拍攝了ACCPDP和矩陣對向放電單元(ACM)放電過程，并且研究了ACCPDP維持放電過程中，紅外譜線和640nm譜線的分布情況，上述結果與參考文獻中的結果基本一致，這為放大模型和測試系統的正確性提供了佐證。本文拍攝了ACCPDP尋址放電過程，并研究了不同Vx偏壓對于尋址放電的影響，放電過程中光發(fā)射分布間接證明了第三章模擬結果的正確性。本文還首次拍攝SMPDP放大單元和實際單元中放電過程，指出