半導體發(fā)光二極管負電容的實驗研究.pdf

1、半導體二極管作為最基本也是最重要的半導體器件，其應用之廣泛不言而喻，所以對其電特性的研究一直以來都是一個頗具價值的課題，通過大量的實驗研究和理論分析，我們對半導體發(fā)光二極管中的負電容現(xiàn)象有了較為深入的認識。下面是我們的主要工作： 1.對現(xiàn)有的實驗儀器TH2819PrecisionLCRMeter進行了開發(fā)與改進，實現(xiàn)了計算機對其遠程控制，大大提高了測試效率；構建了我們自己的測量實驗裝置，包括低頻電學裝置和交流調制發(fā)光實驗裝置；。

2、 2.采用正向交流小信號方法，對大量不同種類、不同功能的發(fā)光二極管的正向交流電特性進行了檢測，檢測結果表明發(fā)光二極管中普遍存在著負電容現(xiàn)象。 3.給出了判定性實驗，確認了發(fā)光二極管中的負電容現(xiàn)象是真實存在的。 4.進一步的交流電壓調制發(fā)光實驗表明，發(fā)光二極管中的負電容現(xiàn)象與強復合發(fā)光過程有著緊密的聯(lián)系，負電容的出現(xiàn)對應著強復合發(fā)光過程的出現(xiàn)。 5.首次探討了交流信號幅度與電容的關系，實驗表明耗盡層電容和負