四種光學鍍膜材料的輻照著色效應研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用帶電粒子輻照設備,對MgF2、ZrO2、Al2O3和SiO2四種粉末狀光學鍍膜材料進行了電子和質子輻照著色研究。用XRD法分析了輻照前后材料晶體結構的變化,用吸收光譜、熒光光譜和EPR法研究了輻照后每種材料內部形成的吸收帶及其對應的色心種類,以及色心隨輻照注量的演化過程。
  電子和質子輻照不影響材料的晶體結構,但對材料具有著色效應,從而改變其光譜性能。
  電子輻照在MgF2中形成260nm、320nm、370nm

2、、400nm和470nm五個吸收帶,分別對應于 F心、三種類型的 F2心和 HD心。低能電子在 ZrO2中形成260nm、300nm、360nm和480nm四個吸收帶,分別對應于 H2心、與本征吸收有關的缺陷、F心和F+心;1MeV高能電子在ZrO2中只形成260nm、300nm和480nm吸收帶。低能電子在Al2O3晶體中形成205nm、230nm、300nm和410nm四個吸收帶,分別對應于F心、F+心、F2心和空穴心;1MeV高能

3、電子在Al2O3主要形成300nm和410nm吸收帶。低能電子輻照后SiO2粉末中形成了203nm、225nm、290nm和550nm吸收帶,分別對應于E′心、POR以及與雜質Ge和雜質Al有關的缺陷;1MeV高能電子輻照在SiO2中形成203nm和550nm兩個主要吸收帶。
  質子輻照在MgF2中形成260nm、320nm、370nm和400nm四個吸收帶,分別對應于F心和三種類型的F2心;在ZrO2晶體粉末中形成260nm、

4、300nm、360nm、480nm、610nm和1150nm六個吸收帶,其中260nm、290nm、360nm和480nm分別對應H2心、與本征吸收有關色心、F心和F+心;在Al2O3晶體粉末中形成205nm、230nm、260nm、300nm、360nm和450nm六個吸收帶,分別對應于F心、兩種F+心、F2心、F3+心和F22+心;在SiO2中形成203nm、230nm、270nm、320nm和410nm五個吸收帶,分別對應于E′心

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