超深亞微米器件的輻照特性研究與建模.pdf

1、隨著航天電子技術的發(fā)展，空間環(huán)境和電子技術的關系越來越密切。輻照會導致器件性能的退化，甚至是徹底的失效。總劑量效應是導致器件性能退化的主要輻照效應之一。
　　 本文主要針對超深亞微米CMOS器件的總劑量效應進行了實驗研究，實驗結(jié)果表明：環(huán)柵器件具有很好的抗輻照特性；總劑量效應對直柵NMOS器件直流特性的影響較為嚴重，會導致器件的關態(tài)泄漏電流增大，使器件和電路的靜態(tài)功耗增加。
　　 在實驗分析的基礎上建立了直柵MOS器件總

2、劑量效應模型。在模型中考慮了界面態(tài)不均勻分布、襯底摻雜分布、陷阱電荷不均勻分布、STI區(qū)角度以及源漏結(jié)深的影響。應用建立的模型預測各種電路模塊的輻照特性，包括：電阻負載反相器、環(huán)形振蕩器、開關電路和傳輸門電路。預測結(jié)果表明：總劑量效應基本不會引起組合邏輯電路的邏輯錯誤，但會增加電路的靜態(tài)功耗；總劑量效應對開關電路的影響較為嚴重，會導致電路失效。
　　 對環(huán)柵器件進行建模，并將該模型嵌入到商用模型BSIM3V3中，便于電路仿真。對