

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領
文檔簡介
1、環(huán)境污染與能源短缺是當今世界面臨的兩個重大挑戰(zhàn)。光催化既能直接利用太陽光催化降解水和空氣中的污染物,也能通過染料敏化太陽能電池將低密度的太陽能轉(zhuǎn)化為高密度的電能,是解決環(huán)境污染與能源危機的重要手段。傳統(tǒng)光催化材料(如 TiO2)具有光響應區(qū)間窄和量子產(chǎn)率低的缺點,極大的限制了其在社會生活和工業(yè)生產(chǎn)中的實際應用。近年來的研究發(fā)現(xiàn),銀類光催化劑(如AgX(X=Cl、Br、I)、Ag3PO4、Ag2O、銀-半導體等)具有可見光響應和量子產(chǎn)率較
2、高等優(yōu)點,在光催化領域受到廣泛關(guān)注并且有著廣闊的應用前景。為了滿足實際應用的需求,進一步提高銀類光催化劑的光催化效率非常有必要。本論文從三個層面進行了一些探索:1)構(gòu)建Ag8W4O16/Ag2復合光催化劑;2)構(gòu)建大比表面Ag/ZnO光催化劑;3)構(gòu)建具有特殊結(jié)構(gòu)的Ag2O光催化劑。具體工作如下:
第一,以Ag8W4O16納米棒為模板,通過加入Na2S溶液利用陰離子原位交換法制備了Ag8W4O16/Ag2S核殼納米棒結(jié)構(gòu)。
3、探討了Na2S的濃度對Ag8W4O16/Ag2S核殼納米棒的形貌和微觀結(jié)構(gòu)的影響,并且提出了Ag8W4O16/Ag2S核殼納米棒的形成機理:S2-與WO42-通過原位離子交換反應優(yōu)先發(fā)生在Ag8W4O16納米棒的表面,使 Ag2S納米粒子均勻地包覆在Ag8W4O16納米棒的表面,通過調(diào)節(jié)Na2S的濃度可以對Ag2S殼層進行有效的調(diào)控。光催化活性實驗結(jié)果表明,當Na2S溶液濃度為0.5 mM時,Ag8W4O16/Ag2S(Ag2Swt%=
4、1.24 wt%)核殼納米棒復合光催化劑具有最好的可見光光催化活性,其反應速率常數(shù)(k=2.08×10-2 min-1)分別是Ag8W4O16納米棒和Ag2S納米顆粒的4.5和41.5倍。
第二,通過一種簡單的低溫濕化學方法合成了Ag改性的ZnO(Ag/ZnO)納米晶。采用X射線衍射(XRD)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、高分辨透射電鏡(TEM)、N2吸附-脫附等溫線(BET)、紫外可見漫反射(UV-vis)和熒光光致激
5、發(fā)(PL)對所制樣品的相結(jié)構(gòu)、微觀形態(tài)和光學性質(zhì)進行表征。室溫下通過紫外光降解甲基橙水溶液來檢測樣品的光催化活性。實驗結(jié)果表明,所制備的ZnO納米晶的尺寸大約為5 nm,具有良好的光催化活性,降解甲基橙溶液的表觀速率常數(shù)(k)為1.57×10-2 min-1;當Ag的負載量為3 at%時,Ag/ZnO表現(xiàn)出最好的光催化活性,其速率常數(shù)(k)為5.45×10-2 min-1,分別是ZnO和商業(yè)P25的3.5和2.5倍。
第三
6、,通過室溫沉淀法合成了立方體、邊角切削八面體和八面體結(jié)構(gòu)Ag2O納米晶體。對所制備的樣品進行了一系列的表征(XRD、SEM、TEM、UV-vis、BET和XPS),表明立方體結(jié)構(gòu)Ag2O納米晶體主要以{100}面為主,而八面體結(jié)構(gòu)的Ag2O納米晶體以{111}面為主。光催化實驗發(fā)現(xiàn),在光降解的前90分鐘里,{111}面為主的八面體較{100}面為主的立方體表現(xiàn)出更好的可見光光催化活性,其反應速率常數(shù)是后者的2.58倍。由于{111}面上
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 銀基復合材料的制備及其光催化性能研究.pdf
- 鐵氧體基光催化材料的制備及其光催化性能的研究.pdf
- SnS2基納米材料制備及其光催化性能研究.pdf
- ZnO基納米復合材料的制備及其光催化性能的研究.pdf
- 納米復合結(jié)構(gòu)材料的制備及其光催化性能的研究.pdf
- 鐵基納米陣列結(jié)構(gòu)的制備、改性及其光催化性能的研究.pdf
- 納米結(jié)構(gòu)鋯基微球的制備及其光催化性能的研究.pdf
- 銀基復合半導體光催化材料的合成及其光催化性能研究.pdf
- TiO2基復合納米材料的制備及其光催化性能研究.pdf
- 15101.磷酸銀復合光催化材料的制備及其光催化性能的研究
- 鉍基氧化物納米材料的制備及其光催化性能研究.pdf
- 23321.幾種銀基光催化材料制備及其結(jié)構(gòu)與性能的研究
- 碳酸銀基半導體復合材料的制備及其光催化性能研究.pdf
- 新型鈦基氧化物納米材料制備及其光催化性能研究.pdf
- 硫化鋅基納米材料的制備、結(jié)構(gòu)調(diào)控及光催化性能.pdf
- 銅基納米材料的制備及其催化性能研究.pdf
- 磷酸銀及其石墨烯基復合材料的制備和光催化性能研究.pdf
- 溴化銀基納米復合材料的可控制備及其光催化性能研究.pdf
- 新型納米結(jié)構(gòu)光催化劑的制備及其光催化性能研究.pdf
- 一維銀基半導體材料的制備及光催化性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論