Si-,1-x-Ge-,x-薄膜的PECVD制備與Al誘導低溫晶化.pdf

1、多晶硅鍺薄膜在微電子制造、光電集成和薄膜太陽能電池等領域有廣泛的應用。除了在某些方面具有接近單晶SiGe的性能外，多晶SiGe薄膜更具有制造成本低的優(yōu)點。特別是隨著大面積尺寸電子器件的發(fā)展，廉價襯底被廣泛采用，使得各種低溫沉積技術變得越來越重要。本論文采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)結合A1誘導晶化制備了性能優(yōu)異的多晶SiGe薄膜，主要開展了以下工作： (1)在系統(tǒng)闡述了多晶SiGe薄膜的優(yōu)異性能及其在器件中的應用基礎

2、上，評述了等離子體在PECVD制備SiGe薄膜中的作用，分析了非晶SiGe薄膜的生長機理，優(yōu)化了PECVD制備SiGe薄膜的工藝參數(shù)。PECVD制備的薄膜一般為非晶態(tài)，在一定的溫度下對所制備的薄膜進行了熱退火處理得到了多晶結構SiGe薄膜。 (2)研究了A1誘導非晶SiGe薄膜的晶化，證實了由于A1的誘導作用，薄膜晶化溫度大大降低；退火溫度和退火時間均影響著薄膜的晶化，隨著退火溫度的升高和退火時間的增長，薄膜結晶度增加，晶粒越來