基于InP襯底的多量子阱微環(huán)激光器的制作與測試.pdf

1、微環(huán)激光器是半導體激光器的一種，可以用多種設計方法進行工藝制備。由于微環(huán)器件具有光學雙穩(wěn)態(tài)特性，這是光學存儲的基礎特性，所以研制微環(huán)器件的目的是掌握其雙穩(wěn)態(tài)特性，并通過多環(huán)甚至環(huán)形陣列等結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)全光存儲等功能。
　　 本文采用InP襯底的多量子阱激光器外延材料，利用經(jīng)典的半導體工藝，研制出形狀不同的半導體微環(huán)激光器樣品，并采用兩種不同的方法對所研制的器件進行了測試。
　　 本文所做的主要工作有：
　　 1.通過

2、微環(huán)激光器的約束方程計算得到多種合理的直波導和環(huán)波導尺寸以及兩者之間的耦合距離，并用L-edit軟件畫出所要制作的微環(huán)激光器版圖。
　　 2.按照版圖的設計利用干法刻蝕，光刻等半導體工藝加工出成品。
　　 3.對所研制的器件進行測試。首先用檢測光的方法對激光器進行測試，將環(huán)形波導置于正偏模式以實現(xiàn)光的激射，然后利用臨近的直線光波導進行耦合將光信號輸出，用光纖與直線波導端口耦合的方法測試可得到環(huán)形激光器的光功率-電流特性曲