VB-GaAs單晶片拋光技術研究.pdf

1、砷化鎵屬Ⅲ-Ⅴ族半導體，具有高速、高頻、耐高溫、低噪聲和發(fā)光等特點。是繼鍺、硅之后最主要的半導體材料之一。它具有遷移率高(0.8m2/V·S)，禁帶寬度大(1.43eV)，抗輻射等特點。砷化鎵單晶可分為兩種類型：半絕緣型(SI)和半導型(SC)。非摻半絕緣砷化鎵材料主要采用液封直拉法制備，主要用于制造超高速數(shù)字集成電路、微波毫米波器件等電子元件。而半導型砷化鎵材料主要用于光電器件的襯底，常用的方法有水平布里奇曼法(HB)、垂直布里奇曼法

2、(VB)以及垂直溫度梯度凝固法(VGF)。
　　 而采用VB法進行單晶生長，屬于中國電子科技集團第四十六研究所的專有項目。對于VB-GaAs單晶的加工，國內尚無先例。采用VB法生長砷化鎵單晶，并進行晶體加工，生產(chǎn)光電器件用砷化鎵單晶拋光片，并逐步形成具有一定生產(chǎn)規(guī)模的生產(chǎn)線，是中電46所的一個主要發(fā)展目標。
　　 本研究由VB砷化鎵晶體加工開始，通過對砷化鎵的滾圓、切割、倒角、研磨、化學腐蝕、拋光以及清洗技術進行研究，實