稀土-IV-VI族稀磁半導體材料的合成與La-Cu-Sn合金相圖研究.pdf

1、稀磁半導體是利用磁性離子替代化合物半導體中的部分非磁性陽離子而形成的新型半導體材料。該類半導體中的載流子和局域磁矩之間存在有強烈的自旋-自旋交換相互作用，改變了能帶結構和載流子的行為，從而帶來了一些特殊的物理性質，如顯著的磁光效應、磁輸運性質和巨法拉第效應等等。稀磁半導體在磁性物理學和半導體物理學之間架起了一道橋梁，因此無論從理論還是從應用上來說都具有非常重要的意義，成為近年來國內外研究的熱點。本論文探索研究了稀土-Ⅳ-Ⅵ族稀磁半導體材

2、料的合成工藝，并采用平衡合金法測定了La-Cu-Sn三元合金相圖473K等溫截面。主要內容如下： 1、稀土-Ⅳ-Ⅵ族稀磁半導體材料的合成工藝綜合采用粉末冶金和高溫熔化兩種方法合成了系列Gd-Sn-Te體系合金，并利用X射線衍射儀、金相顯微鏡和差熱分析儀分析了試樣的相組成和相變。結果表明，兩種方法制備的試樣成分和組織均勻，元素Gd可以比較均勻的固溶到合金體系中，達到了所需的平衡態(tài)，滿足相圖和相結構研究的要求。 2、La-C

3、u-Sn三元合金相圖473K等溫截面綜合利用X射線衍射分析、差熱分析、光學顯微分析和電子顯微分析等方法，測定了La-Cu-Sn三元合金相圖473K等溫截面。該等溫截面由20個單相區(qū)、43個兩相區(qū)、24個三相區(qū)組成。證實了該體系473K下已報道的11個二元化合物和5個三元化合物的存在，它們分別是：La5Sn3，La5Sn4，LaSn，La3Sn5，LaSn3，Cu3Sn，Cu6Sn5，CuLa， Cu2La，Cu5La，Cu6La；CuL