電沉積Cu-Co納米多層膜及其巨磁電阻性能的研究.pdf

1、該論文采用雙脈沖控電位技術(shù),在p型單晶硅(111)面上電沉積了不同調(diào)制波長(zhǎng)(λ)的Cu/Co納米多層膜.掃描電鏡(SEM)測(cè)試表明多層膜的層狀結(jié)構(gòu)清晰連續(xù),各子層厚度均勻.采用X-射線衍射(XRD)分析了不同調(diào)制波長(zhǎng)的多層膜的結(jié)構(gòu).研究表明調(diào)制波長(zhǎng)為20~160nm時(shí),鍍層屬外延生長(zhǎng),隨調(diào)制波長(zhǎng)的減小,外延生長(zhǎng)的影響越來(lái)越明顯.調(diào)制波長(zhǎng)小于20nm時(shí),XRD譜圖主峰兩側(cè)出現(xiàn)衛(wèi)星峰,表明多層膜形成超晶格結(jié)構(gòu).Cu、Co的沉積電位(φ<,C

2、u>、φ<,Co>)對(duì)多層膜生長(zhǎng)取向有明顯影響:隨著φ<,Cu>負(fù)移,多層膜(111)面的取向系數(shù)(Tc)逐漸減小;隨著φ<,Co>的負(fù)移,多層膜(111)面的Tc逐漸增大.當(dāng)Co的沉積電位為-1.2V,銅的沉積電位為-0.50V,多層膜(111)面的Tc達(dá)到2.86,擇優(yōu)取向非常明顯.采用四探針法測(cè)試了Cu/Co多層膜的巨磁阻(GMR)性能,考察了'E、Cu層厚度(δ<,Cu>)、Co層厚度(δ<,Co>)、周期數(shù)及沉積電位對(duì)GMR性