采用MEMS技術研制硅懸臂梁流速傳感器.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文研制的硅懸臂梁流速傳感器是在硅杯的懸臂梁根部采用MEMS技術制作四個P-MOSFETs組成惠斯通電橋,令兩個P-MOSFETs置于硅敏感膜的徑向位置,而另外兩個置于橫向位置。在流體作用在流速傳感器表面對硅懸臂梁施加壓力,懸臂梁根部電橋中兩個徑向的P-MOSFETs溝道等效電阻阻值增大,兩個橫向P-MOSFETs溝道等效電阻阻值減小。因此使橋路失去平衡,在激勵源供電情況下,輸出端產生端電壓輸出,從而實現(xiàn)了將壓力信號(即流體的流速)轉化

2、為與之有對應關系的電壓信號輸出。
　　 本文在綜述了國內外流速傳感器研究概況的基礎上,論述了硅懸臂梁流速傳感器的結構設計、工作原理、制造工藝,對實驗研制的流速傳感器的Ⅰ-Ⅴ特性、溫度特性進行了實驗測試和靜態(tài)特性分析。實驗結果表明,研制的硅懸臂梁式流速傳感器靈敏度為34.70mV／10 L／min,線性度為±3.34％F·S,遲滯為±0.137％F·S,重復性為±0.262F·S,精度是3.353％F·S,符合設計要求。
　

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