低損耗新型硅基厚膜材料及其在射頻-微波器件中的應(yīng)用.pdf_第1頁(yè)
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1、為了提高硅基無(wú)源器件的射頻/微波特性,已經(jīng)提出了許多方法,其中包括:使用高電阻率(≥3000Ωcm)的硅襯底來(lái)獲得與低損耗的半絕緣GaAs材料相似的性能,但在高阻硅襯底上采用現(xiàn)有的CMOS工藝不能實(shí)現(xiàn)有源電路;將無(wú)源器件下的低阻硅襯底腐蝕成小槽,可以消除低阻硅襯底帶來(lái)的不良影響,但同時(shí)腐蝕增加了工藝成本,而且加工難度較大;使用離子注入技術(shù)將低阻硅的晶格錯(cuò)位形成一高阻層,可以減少低阻硅襯底的損耗,但其工藝非常復(fù)雜;還有諸如插入一層厚介質(zhì)膜

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