五氧化二鉭薄膜制備及其介電性能研究.pdf

1、介電膜，是一種重要的電子薄膜。在微電子技術和光電子技術中有著廣泛的應用。隨著電容器件集成度越來越高，以SiO<,2>為主的介質膜接近極限厚度，難以滿足要求。五氧化二鉭薄膜(Ta<,2>O<,5>)因為具有高介電常數和良好的熱、化學穩(wěn)定性，成為最有希望獲得實際應用的介電膜。本文主要研究了五氧化二鉭薄膜的制備、電學性能以及改善性能的途徑。 論文采用射頻磁控濺射的方法，制備了Ta<,2>O<,5>薄膜?？疾炝藶R射氣體中氧氣含量、負偏壓

2、、退火溫度等對薄膜成分、結構的影響，并且通過優(yōu)化工藝參數得到了接近化學計量比的五氧化二鉭薄膜。研究了薄膜的沉積特性，分析了濺射氣壓、濺射功率和氧壓比對Ta<,2>O<,5>薄膜沉積速率的影響。 本文還研究了Ta<,2>O<,5>薄膜的電學性能。測試了不同的上電極面積Ta<,2>O<,5>薄膜電容的電容量和介電損耗，并得出了薄膜的介電常數在18.5～27.5之間是SiO<,2>薄膜材料的6～8倍。在頻率為1kHz條件下，Ta<,2