SPICE兼容的RF傳輸線建模.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在射頻及微波應用領域,片上互連線存在著RF傳輸線效應,應作為RF傳輸線進行研究。頻變的電阻電感制約其模型在SPICE電路仿真的瞬態(tài)分析中的應用,因此,研究片上互連線SPICE兼容的RF傳輸線模型對集成電路的發(fā)展有著實際意義。
  本文從互連線器件物理出發(fā),在分析研究微波傳輸線和經典互連線模型的基礎上,對互連線的寄生效應進行了分析與建模:應用PEEC法對趨膚效應和鄰近效應進行建模;應用復鏡像理論等效襯底電流,對襯底磁損耗進行建模,并

2、據此改進PEEC法,將趨膚效應、鄰近效應和襯底磁損耗的計算統(tǒng)一,加快了計算速度。在模型基礎上,建立了互連線的頻變 RF傳輸線模型。分析比較了消除頻變特性的兩種結構的適用性與復雜度,采用并聯(lián)等效網絡消除了串聯(lián)電阻與串聯(lián)電感的頻變特性,建立了單互連線與雙互連線SPICE兼容的RF傳輸線模型。
  計算和分析了趨膚效應對互連線串聯(lián)電阻 sR和串聯(lián)電感 sL的影響,在此基礎上模擬了不同襯底電導率對串聯(lián)電阻 sR和串聯(lián)電感 sL的影響,結果

3、顯示隨著襯底電導率的增大,襯底效應對互連線影響增大。
  在0-20GHz頻率范圍內,在MATLAB下計算了本文單互連線模型與未包含襯底磁損耗的經典模型。結果顯示,本文模型在全頻率范圍內與HFSS仿真結果誤差小于8%,優(yōu)于經典模型的20%;雙互連線模型的誤差在10%以內。
  最后,設計了一個2.4GHz的A類功率放大器,考慮實際工藝參數,計算了所得模型參數并加入功率放大器的仿真中,對比了有無互連線模型情況下功率放大器輸出功

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