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文檔簡介
1、作為寬能隙直接能帶結構的半導體材料，A1N，GaN，InN'等Ⅲ族氮化物由于高效率可見光和紫外光發(fā)射以及光響應特性而在全色光器件方面具有良好的應用前景。其中，AIN還具有高熱導、高硬度以及良好的介電性質、聲學性質和化學穩(wěn)定性，可望在短波光發(fā)射和光探測、表面聲學、壓電器件等光電子和微電子器件方面得到廣泛應用。本文采用中頻反應磁控濺射方法在Si(111)上生長AIN薄膜，主要考察了襯底溫度和退火溫度對薄膜結構性能等的影響，利用原子力顯微鏡(
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