納米磁性薄膜生長機理與計算機模擬.pdf

1、華中科技大學博士學位論文納米磁性薄膜生長機理與計算機模擬姓名：劉昌輝申請學位級別：博士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：何華輝20060511II積下來的粒子返回膜外空間的機率就大，留下參與成膜的粒子減少。隨著蒸發(fā)幾率增大，團簇的數(shù)目減少，團簇平均尺寸卻普遍增大，層數(shù)也降低。第四，建立DLA模型，主要研究bccfcchcp結構的薄膜生長過程中的形核規(guī)律，核生長與溫度的變化關系。研究結果表明：（1）聚集集團在生長過程中，隨著粒子行走步長

2、的增加，其屏蔽效應減弱，集團的致密度增加。（2）低溫下粒子在基底上的遷移率很小只能凝結成很小的島；當溫度升高后粒子在基底上的遷移率變大凝結成更大島的機會增多島的平均尺寸也變大。（3）隨基底溫度的升高生長情況有很大變化當基底溫度低時從島的分散或分形生長形狀上幾乎看不出與基底形貌有任何關系。但當基底溫度很高時島的凝聚生長形狀與基底形貌有很大關系。（4）當基底溫度較低時隨粒子入射能量的增長島的生長形貌也經(jīng)歷了一個從分散、分形到凝聚生長的變化過

3、程；島的平均尺寸也逐漸變大。第五，在復雜的多變量系統(tǒng)中，用一元和多元回歸分析法去確定了化學鍍CoFeB沉積速率的動力學方程?？梢灶A報、估計和檢驗薄膜的制備質量，通過線性回歸分析法優(yōu)化了實驗方案，可以確定化學鍍CoFeB的最佳配方。由化學鍍最佳配方制備的CoFeB薄膜，具有較高的飽和磁化強度，適當高的磁各向異性場和良好的高頻性能。最后，在上述研究基礎上，研究了顆粒膜的磁性能。用蒙特卡羅方法計算模擬了CoFe顆粒膜的磁滯回線。結果顯示，對于