UV-LIGA技術光刻工藝的研究.pdf

1、MEMS(微機電系統(tǒng))是21世紀科技與產業(yè)的熱點之一,而微細加工技術又是MEMS發(fā)展的重要基礎.LIGA(X射線深層光刻、電鑄成型和微復制)和UV-LIGA技術是MEMS微細加工中兩種十分重要的技術.在微機械領域常需要用到具有一定厚度和高深寬比的微結構,LIGA與UV-LIGA技術是制作這種微結構的重要手段.UV-LIGA技術的工藝過程與LIGA技術基本相同,只是不需要用同步輻射X線源,而用常規(guī)的紫外光作為曝光光源,因此UV-LIGA技

2、術要比LIGA技術在工藝成本上便宜很多,較之更容易推廣.SU-8系列光刻膠是UV-LIGA工藝常用的光刻膠,它是一種負性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠,適于制作超厚、高深寬比的MEMS微結構.SU-8膠在近紫外光范圍內光吸收度低,故整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致,可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形.由于它具有較多優(yōu)點,因此逐漸應用于MEMS的多個研究領域.本文研究了基于SU-8膠的UV-LIGA的光刻工藝流程,討論了各個步驟的工藝

3、參數對光刻結果的影響.分析了SU-8膠在近紫外280-350nm和350-400nm波段下的透射曲線,計算得到不同波段紫外光在SU-8膠中的穿透深度,并通過SEM圖片分析了不同穿透深度對SU-8膠圖形的影響,進而得出適合SU-8膠均勻曝光的紫外波段.然后通過對同一厚度光刻膠采取不同曝光劑量的方法,結合SEM照片的比較,得到適合該厚度的曝光劑量.利用這種對比的實驗方法,可得到不同厚度SU-8膠所對應的曝光劑量.最后,利用設計的掩模板以及前