SiGe材料的橢圓偏振光譜研究.pdf_第1頁(yè)
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1、SiGe是繼Si和GaAs之后的一種重要半導(dǎo)體材料。SiGe材料通過(guò)對(duì)Ge組分的調(diào)控可剪裁SixGe1-x的能隙寬度、改變載流子的遷移率,從而獲得高性能。目前,國(guó)內(nèi)外主要采用二次離子質(zhì)譜(SIMS)法和X射線衍射(XRD)法對(duì)SiGe薄膜進(jìn)行表征。但這些方法或者存在破壞性,或者信噪比低,不能充分實(shí)現(xiàn)目前SiGe技術(shù)的發(fā)展需求。橢圓偏振光譜(SE)技術(shù)具有靈敏度高、無(wú)破壞性、對(duì)環(huán)境要求不苛刻等特點(diǎn)。國(guó)外利用SE進(jìn)行SiGe材料和器件的研究

2、工作較多。國(guó)內(nèi)尚未對(duì)SiGe材料進(jìn)行系統(tǒng)的橢圓偏振光譜研究。
   本文即從此入手,首先介紹SiGe這一新興半導(dǎo)體材料的性質(zhì)和應(yīng)用。然后制備了不同工藝條件下的SiGe薄膜樣品,采用橢圓偏振光譜技術(shù)對(duì)這一系列樣品進(jìn)行了研究。確定了SixGe1-x層的厚度、光學(xué)常數(shù)和Ge組分,對(duì)不均勻的SixGe1-x層沿厚度方向進(jìn)行了組分梯度的表征。其結(jié)果與二次離子質(zhì)譜法測(cè)試結(jié)果具有較好的一致性。并在此基礎(chǔ)上,分析了退火溫度、退火時(shí)間對(duì)應(yīng)變的影響

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