納米ZnO摻雜及復(fù)合薄膜的制備與光學(xué)特性的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、南京理工大學(xué)碩士學(xué)位論文納米ZnO摻雜及復(fù)合薄膜的制備與光學(xué)特性的研究姓名：周蓉蓉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：光學(xué)工程指導(dǎo)教師：李相銀20080601亟論塞納苤蘭nQ摻盤丞復(fù)金墮鏖的劍釜皇盤堂掛性鮑班究AbstractThezincoxide(ZnO)，whichhasaquitebigexcitonbindingenergy(60meV)，isonekindofdirectbandgap(337eV)Ill—VIracecompounds

2、emiconductingmaterial，andtheoreticallymayrealizetheultravioletraystimulatedemissionundertheroomtemperatureAtthesametime，ZnOisthehi曲qualitypiezoelectricitythegasissensitiveandthephotoelectricmaterialThispaperusedsol—gelpr

3、eparedbyMg—dopedZnOfilmsandtheuseofelectronbeamevaporationmethodZnO／Ti02compositefilm，bycontrollingthesubstratetemperature，annealingtemperatureandthemainparameterssuchasdoping，thecrystalZnOfilmsLEDstructureandcharacteris

4、ticsofamoresystematicstudyFirst，quartzandsiliconsubstrate，afterannealing500℃dopedMgZnOfilm，theconcentrationofitsdopingZnOfilmsonthestructureandopticalpropertiesoftheimpactTheresultsshowedthat3％MgcontentinZnOthinfilmsampl

5、ecaxisorientationofthebestandhasagoodcrystallizationofqualityUV—LEDwiththeintroductionofMgblueshift，andthepeakstrengthenhanced，halfwidthdecreases，MgcanbecontrolledthroughtheincorporationofregulationZnOfilmswidthoftheban，

6、abanwidthof337eV～77eVforthefilmadjustablebandgap，CanbepreparedtomeettherequirementsoftheoptoelectronicdevicesdesignedtOprovideatheoreticalbasisforthefilmSecondly，tosinglecrystalsiliconsubstrate，indifferentsubstratetemper

7、atureoftheZnOfri02compositefilmadifferentanalysisoftemperatureonZnO／Ti02compositefilmofthestructureandopticalpropertiesoftheimpactTheresultsshowedthattheexperimentofZnOareamorphous，inthe250℃directgrowthinTi02bufferlayero

8、ntheamorphousZnOfilms，becausetheexistenceofTi02bufferlayermadeofcrystalZnOfilmssignificantlyimprovequalityandachieveastrongpurple，Light，strongandweakherethelaunchofthegreenFinally，asinglecrystalsiliconsubstrate，250℃direc

9、tlyinthegrowthofZnO／Ti02compositefilm，ofdifferenttemperaturesonZnO／Ti02compositefilmofthestructureandopticalpropertiesoftheimpactTheresultsshowedthat，afterannealingtheZnOfilmsarehexagonalwurtzitestructurealongtheperpendi

10、culartothesubstrateandtheCaxisofchoosingthebestgrowth謝mannealingtemperaturerises，becauseTi02buffertheincreasedcrystallization，ZnOthinfilmofcrystallinequalityAlsograduallyincrease，whentheannealingtemperatureWas600℃，thecry

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