集總BZN電容調(diào)諧壓控振蕩器的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、對(duì)于VCO來(lái)說(shuō),最重要的指標(biāo)之一就是相位噪聲,VCO的近端相位噪聲可以通過(guò)鎖相環(huán)得到改善,但是VCO的遠(yuǎn)端噪聲則只有通過(guò)提高VCO的諧振腔Q值得到改善。對(duì)于LC結(jié)構(gòu)的振蕩器,電感和電容Q值的提高都對(duì)提高VCO相噪有重要意義。從目前的資料來(lái)看,在微波頻段,BST器件Q值比變?nèi)荻O管低,而B(niǎo)ZN器件和BST器件相比,損耗更低,Q值更高,所以預(yù)計(jì)BZN材料的變?nèi)莨芸梢猿^(guò)普通的半導(dǎo)體變?nèi)荻O管的Q值,由此期望VCO相位噪聲得到提高。

2、本文研究了基于BZN薄膜電調(diào)變?nèi)莨艿募傇{(diào)諧VCO的寬帶和低相噪技術(shù)。解決的主要問(wèn)題有： 1、BZN電容結(jié)構(gòu)的電磁分析和微細(xì)加工技術(shù)； 2、BZN電容在微帶線(xiàn)系統(tǒng)中的測(cè)量方法； 3、適用于BZN變?nèi)莨艿腦波段VCO的寬帶調(diào)諧技術(shù)和低相噪技術(shù)； 4、VCO裸芯片的焊接技術(shù)和寄生參數(shù)影響因素的分析。 本文完成了MIM結(jié)構(gòu)BZN電容電磁仿真模型的建立,研究了基于TRL校準(zhǔn)方法的BZN電容測(cè)試平臺(tái),采

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