射頻VDMOS器件結構研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、VDMOS(垂直導電雙擴散場效應晶體管)器件具有高輸入阻抗、高開關速度、寬安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點，廣泛應用于移動通信、雷達、開關電源、汽車電子、馬達驅動、節(jié)能燈等各種領域。 由于我國90％以上VDMOS產品需要進口，因此對VDMOS器件的物理特性及電學特性研究與建模有著重要實際意義。 通過使用器件模擬軟件ISE，建立了VDMOS器件模型，比較了VDMOS器件的擊穿電壓和外延層濃度、溝道濃度的關系，分析了準飽和

2、特性產生的原因和影響因素，提出了改進方法并進行了驗證。通過參數模擬比較，得到了VDMOS設計的基本原則。 在ISE平臺上模擬并研究了VDMOS的電容特性，總結了柵漏電容Cgd和漏源電壓Vds的關系；分析了柵氧層厚度和長度、漂移區(qū)濃度、溝道區(qū)濃度等參數對Cga的影響。虛擬柵結構對電容特性的改善作用得到了驗證。 介紹并分析了對耐壓作用有著明顯提高的超結結構，對其工作機理以及存在的缺陷進行了闡述。同時引入了一種在工藝上更為可行

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