350kHz倍頻式IGBT分時—密度復合控制串聯(lián)諧振逆變器.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前國內(nèi)頻率高于100kHZ的固態(tài)感應加熱電源基本上是采用功率MOSFET器件。由于MOSFET功率器件容量小，大功率設備需要大量的器件并聯(lián)使用，而且為了消除其固有的寄生二極管的不良反向恢復特性，必須串聯(lián)快恢復二極管，使得電路復雜，可靠性和效率降低。而IGBT器件容量遠高于MOSFET，并且不存在寄生二極管問題，適合大功率場合應用，但是IGBT的開關損耗，尤其是拖尾電流在高頻開關工作狀態(tài)下引起的關斷損耗很大，限制了其工作頻率的提高。目前

2、IGBT的開關頻率在零電流開關(ZCS)狀態(tài)下可工作在100kHz。本文以高頻感應加熱電源為研究對象，采用倍頻式的逆變電路為主電路結(jié)構，IGBT并聯(lián)分時-脈沖密度復合的控制策略，其中包括他激啟動電路設計、頻率跟蹤電路設計、電壓電流檢測以及驅(qū)動電路的設計，研究了基于CPLD(Complex Programmable Logic Device)+DSP(Digital Signal Processing)的分時-脈沖密度調(diào)節(jié)的控制策略的實現(xiàn)

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