工作在1V電源電壓下的CMOS電壓基準的研究與設計.pdf

1、基準是集成電路中一個重要的單元模塊，其廣泛應用于各種模擬集成電路、數(shù)?；旌闲盘柤呻娐泛推舷到y(tǒng)芯片中。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和半導體制造工藝技術(shù)的進步，芯片的工作電壓在不斷下降，當電源電壓下降到1 V 或更低時傳統(tǒng)的帶隙基準電路將不再通用，因此對低電源電壓CMOS基準進行研究與設計具有現(xiàn)實意義。 本論文的研究工作主要包括三個方面內(nèi)容，即低電源電壓基準理想精度的研究、一階溫度補償?shù)蛪夯鶞实脑O計和高階溫度補償?shù)蛪夯鶞实脑O計。

2、 低電源電壓基準理想精度的研究，首先從低電源電壓基準生成原理入手，在理想化情況下建立數(shù)學模型，然后導入目標工藝中雙極型晶體管的具體參數(shù)，利用MATLAB 進行仿真，得出在目標工藝下使用一階溫度補償?shù)牡碗娫措妷夯鶞誓軌蜻_到的理想化最高精度，并將其作為下文具體電路設計中的一個依據(jù)。 一階溫度補償?shù)蛪夯鶞实脑O計，首先設計是基于UMC 0.18 μm 標準CMOS工藝進行的，設計時將能夠?qū)﹄娐肪仍斐捎绊懙恼`差源模塊化，然后針對這些誤